服務(wù)范圍

廣電計(jì)量提供半導(dǎo)體材料微結(jié)構(gòu)分析與評(píng)價(jià)服務(wù)范圍：半導(dǎo)體材料、有機(jī)小分子材料、高分子材料、有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化材料、無(wú)機(jī)非金屬材料。

檢測(cè)項(xiàng)目

（1）半導(dǎo)體材料元素成分分析：EDS 元素分析，X 射線光電子能譜（XPS）元素分析；

（2）半導(dǎo)體材料分子結(jié)構(gòu)分析：FT-IR 紅外光譜分析，X 射線衍射（XRD）光譜分析，核磁共振波普分析（H1NMR、C13NMR）；

（3）半導(dǎo)體材料微觀形貌分析：雙束聚焦離子束（DB FIB）切片分析，場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（FESEM）微觀形貌量測(cè)與觀察，原子力顯微鏡（AFM）表面形貌觀察。

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

服務(wù)背景

隨著大規(guī)模集成電路的不斷發(fā)展，芯片制程工藝日趨復(fù)雜，半導(dǎo)體材料微結(jié)構(gòu)及成分異常阻礙著芯片良率的提高，為半導(dǎo)體及集成電路新工藝的實(shí)施帶來(lái)了極大的挑戰(zhàn)。廣電計(jì)量提供半導(dǎo)體材料微結(jié)構(gòu)分析與評(píng)價(jià)服務(wù)。

我們的優(yōu)勢(shì)

（1）芯片晶圓級(jí)剖面制備及電子學(xué)分析，基于聚焦離子束技術(shù)(DB-FIB)，對(duì)芯片局部區(qū)域進(jìn)行精確切割，并實(shí)時(shí)進(jìn)行電子學(xué)成像，可得到芯片剖面結(jié)構(gòu)，成分等重要工藝信息；

（2）半導(dǎo)體制造相關(guān)材料理化特性分析，包括有機(jī)高分子材料、小分子材料、無(wú)機(jī)非?屬材料的成分分析、分子結(jié)構(gòu)分析等；

（3）半導(dǎo)體物料污染物分析方案的制定與實(shí)施?？蓭椭蛻?hù)全面了解污染物的理化特性，包括：化學(xué)成分組成分析、成分含量分析、分子結(jié)構(gòu)分析等物理與化學(xué)特性分析。

應(yīng)的衍射斑點(diǎn)，其晶面間距有所不同；也就是說(shuō)雖然都是fcc結(jié)構(gòu)，但是其晶格參數(shù)（fcc晶胞的a值）不同，表明其是不同的工藝所得。尤其是區(qū)域2（綠色框）和區(qū)域3（黃色框）的晶格參數(shù)差異，表明該裂紋是在不同工藝的Cu的界面產(chǎn)生。